«Группа Кремний ЭЛ» запустила в Брянске серийное производство транзисторов и микросхем с проектными нормами 500 нанометров для цифровой техники: смартфонов, ноутбуков, фотоаппаратов и другой аппаратуры, сообщает пресс-служба губернатора и правительства Брянской области.
В рамках рабочей поездки производство посетил первый заместитель директора Фонда развития промышленности Российской Федерации Андрей Манойло. Ранее Фонд развития промышленности предоставил предприятию льготный заем на реализацию этого проекта. К 2022 году компания планирует выпустить транзисторы и микросхемы на сумму более 825 млн рублей. Основными потребителем готовой продукции выступят производители техники «Концерн радиостроения «Вега», а также концерны «Алмаз-Антей», «Созвездие», «Авиаприборостроение», «Роскосмос», «Росатом».
Сейчас доля иностранных производителей на рынке транзисторов и интегральных микросхем в микрокорпусах, которые используются в блоках вторичного питания, по данным компании, превышает 95%. Благодаря реализации проекта этот показатель планируется снизить до 30%. Первый заместитель директора Фонда развития промышленности Андрей Манойло отметил, что реализация подобных проектов «это импортозамещение, это безопасность страны, это независимость от внешних поставщиков».
С помощью льготных средств компания приобрела современное высокотехнологичное оборудование, в том числе сканирующий электронный микроскоп, многоканальную измерительную систему, систему нанесения и проявления, установку безмаскового совмещения и экспонирования, линию сборки. Использование современного оборудования позволило выйти на более высокий технологический уровень, улучшить качество, временные и частотные характеристики изделий, снизить долю брака изделий, уменьшить размеры кристалла, а также снизить трудоемкость и материалоемкость изготовления.
По состоянию на март 2019 года в производство вложено более миллиарда рублей. Это средства фонда, собственные и заемные средства предприятия. В планах компании — освоить новое серийное производство интегральных микросхем и транзисторов: с проектными нормами 350 нанометров, уже для более сложных изделий.